[发明专利]一种超薄太阳光黑硅吸波器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910974261.6 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110634966B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 刘正奇;张后交;付国兰;刘桂强;刘晓山;王燕 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人： | 张建新 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超薄太阳光黑硅吸波器及其制备方法。该超薄太阳光黑硅吸波器包括基底层和超表面结构层，超表面结构层连接于基底层上表面；基底层和超表面结构层的材料均为硅，超表面结构层的厚度为120～200纳米，超表面结构层含有若干大小不一、无规则的凹陷空腔；其中，大小不一、无规则是指凹陷空腔的面积从10平方纳米到500平方纳米变化、凹陷空腔的深度从10纳米到280纳米变化，相邻凹陷空腔的间隔从10纳米到100纳米变化。超表面结构层具有一系列不规则的空腔，形成了在不同波长范围内具有不同谐振模式的模型。在280～2500nm的全太阳辐射光谱范围内，实现了近完全抗反射吸收(效率为97％)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 太阳光 黑硅吸波器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄太阳光黑硅吸波器，其特征在于：包括基底层和超表面结构层，超表面结构层连接于基底层上表面；基底层和超表面结构层的材料均为硅，超表面结构层的厚度为120～200纳米，超表面结构层含有若干大小不一、无规则的凹陷空腔；其中，大小不一、无规则是指凹陷空腔的面积从10平方纳米到500平方纳米变化、凹陷空腔的深度从10纳米到280纳米变化，相邻凹陷空腔的间隔从10纳米到100纳米变化。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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