[发明专利]一种高效率发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201910974613.8 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112736166B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 马来鹏;任文才;杜金红;张鼎冬;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/26;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及发光二极管的制作领域，具体为一种通过非周期性纳米结构掺杂剂提高发光二极管发光效率的方法。该方法在透明电极与发光层之间引入非周期性纳米结构掺杂剂，通过非周期性纳米结构掺杂剂同时改善透明电极的光外耦合效率和电荷注入效率，从而提升发光二极管的发光效率：在透明电极的表面形成非周期性纳米结构掺杂剂，利用其非周期性的纳米结构减少出射光的全内反射，从而提高发光二极管的出光率；同时，利用掺杂剂的表面电荷转移作用对透明电极进行掺杂以改善其功函数，从而提高电极的电荷注入效率。该方法工艺简单，与发光二极管的制作工艺兼容性高，为发展高性能发光二极管提供了有效的技术途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910974613.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：列车脱轨风险的监测方法与设备
- 下一篇：电机装配定位装置
