[发明专利]一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置有效
| 申请号： | 201910974943.7 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110673009B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 冯士维;白昆;石帮兵;肖宇轩;潘世杰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N25/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅‑漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源‑漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 压下 sic mos 测量 短路 供给 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置，其特征在于：/n可调输出电压的驱动电路或电源与绝缘栅开关器件的栅极相连接；被测SiC MOS器件的漏极和源极分别与绝缘栅开关器件的漏极和源极相连；漏-源工作电源正输出端与漏压开关一端相连；漏压开关另一端与二极管阳极相连；二极管阴极与被测SiC MOS器件的漏极相连；漏-源工作电源负输出端与被测SiC MOS器件的源极相连；测试电流源接在绝缘栅开关器件除栅极外的一端。/n
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