[发明专利]一种提升产电的酞菁铁过滤阴极膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910975386.0 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110808379B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘佳;许润钒;郁美莹;陈雪鹏;李楠;何伟华;冯玉杰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/90;H01M8/16 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升产电的酞菁铁过滤阴极膜的制备方法，将聚酰亚胺、聚醚酮或聚醚酰亚胺中的一种和成膜亲水改性剂在二氯甲烷溶液中溶解，静置得到脱除气泡的均相溶液；将活性炭、导电材料以及一种酞菁铁金属配合物混合，与均相溶液混匀超声制成一种掺杂酞菁铁过滤阴极膜。酞菁结构存在18π电子的共轭体系，电子会加快氧还原反应中电子的转移，提高阴极膜的导电性和电流密度，有利于提高氧还原催化稳定性，比传统MFC相比，掺杂酞菁铁过滤输出功率提高1‑2数量级，功率输出效率提高20％‑30％。掺杂酞菁铁过滤阴极膜起到截留和过滤的作用，进一步提高MFC系统出水效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 酞菁铁 过滤 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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