[发明专利]一种三维堆叠方法有效
| 申请号： | 201910976434.8 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110797329B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 葛星晨 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/498;H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维堆叠方法，包括：在裸硅片中形成氢离子注入层；在裸硅片的正面表面上淀积第一键合层；将裸硅片的第一键合层与一具有穿孔的载体片正面表面上的第二键合层进行键合；对裸硅片进行高温裂片；对裂片界面进行处理；在裂片界面上进行需要的工艺；将工艺后的裸硅片与一器件硅片进行键合；利用湿法药液进行载体片去键合；形成两枚器件硅片的堆叠结构。本发明将smart‑cut裂片技术融入到器件硅片的三维堆叠中，大大提高了硅片的资源利用率，节省了生产成本，同时规避了颗粒沾污、金属沾污、硅片裂片等研磨带来的问题，提高了工艺的稳定性，并提高了生产的效率及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 堆叠 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维堆叠方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：提供一裸硅片，在所述裸硅片中的一定深度上形成氢离子注入层；/n步骤二：在所述裸硅片的正面表面上形成一层第一键合层；/n步骤三：提供一正面表面上形成有一层第二键合层的载体片，将所述裸硅片的第一键合层与所述载体片的第二键合层相贴合进行键合；其中，所述载体片上分布有多个穿孔，所述载体片的材质与所述第二键合层的材质不同；/n步骤四：对键合后的所述裸硅片进行高温裂片，使所述裸硅片背面上的多余部分沿所述氢离子注入层处的裂片界面被分裂去除；/n步骤五：对剩余的所述裸硅片的裂片界面进行处理；/n步骤六：在剩余的所述裸硅片的裂片界面上形成器件层和第三键合层；/n步骤七：将所述第三键合层与一器件硅片上的第四键合层相贴合进行键合；/n步骤八：利用湿法药液对所述载体片去键合；其中，将所述载体片的背面朝上，对所述载体片的背面进行湿法药液清洗，利用所述载体片与所述第二键合层之间具有的湿法药液清洗时的高选择比，使湿法药液进入所述穿孔与所述第二键合层反应，以去除所述第二键合层，使所述载体片与所述裸硅片相分离；/n步骤九：移除所述载体片，形成两枚器件硅片上下堆叠的结构。/n
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