[发明专利]一种用于电光调制器的金属-硅微纳米线锥形复合天线及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910976604.2 申请日: 2019-10-15
公开(公告)号: CN110718754B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 雷煜卿;仝杰;李英峰;张来豫;李许安;李美成 申请(专利权)人: 中国电力科学研究院有限公司;华北电力大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/22;G02F1/03;G02F1/035
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 张涛
地址: 100192 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种用于电光调制器的金属‑硅微纳米线锥形复合天线,通过设计锥形金属薄膜层与硅微纳米线的复合结构,利用硅微纳米线的小尺寸优势和漏模响应实现对高频及特高频电场的测量,利用硅微纳米线可以收集100至500倍其截面范围内电场的超广域电场收集能力来提高天线对周围电场的响应能力,提高了锥形天线的调制带宽、提高了天线对高频电场的响应能力,使电光调制器不仅适用于常见低频电场的收集,还可用于特定高频电场特殊领域的测量。
搜索关键词: 一种 用于 电光 调制器 金属 纳米 锥形 复合 天线 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于电光调制器的金属-硅微纳米线锥形复合天线,包括锥形硅结构主体和金属薄膜层;/n所述锥形硅结构主体为单晶硅材料制作的具有与电光调制器上表面平行的内外两个三角形表面的扁平锥形体;内表面朝向电光调制器和电光调制器的波导结构,外表面与内表面相对,朝向外部;内表面与外表面之间由三个侧面相连接,所述三个侧面的面积均小于内表面或外表面的面积;所述锥形硅结构主体的外表面通过化学刻蚀法制作有硅微纳米线结构;所述硅微纳米线结构为硅纳米线和硅微米柱复合阵列,且所述硅纳米线和硅微米柱的顶部具有材质为Au的帽状结构;/n所述金属薄膜层为镀制在锥形硅结构主体内表面的金属Au薄膜,且所述金属薄膜层与电光调制器的波导结构电极电气连接。/n
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