[发明专利]一种硫铜钴矿赝电容活性物质及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910976665.9 申请日: 2019-10-15
公开(公告)号: CN110729136B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 高延敏;徐俊烽;张政;施方长;孙存思;杨红洲 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/86
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212003*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种掺杂了聚丙烯腈的CuCo2S4赝电容活性物质及其制备方法,这种CuCo2S4赝电容活性物质是由铜源、钴源、硫源按照摩尔比为1:2:4进行溶剂热反应获得的,而聚丙烯腈是由聚丙烯腈凝胶经过真空裂解之后获得的;聚丙烯腈与CuCo2S4活性物质质量比为1:7~8经过混合研磨便可得到最终产物。本发明所介绍的掺杂了聚丙烯腈的CuCo2S4赝电容活性物质组合物,比电容在1000F/g以上,且在经过2000次充放电循环之后的容量保持率达到80%以上。
搜索关键词: 一种 硫铜钴矿赝 电容 活性 物质 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种硫铜钴矿赝电容活性物质组合物,其特征在于,包括硫铜钴矿、聚丙烯腈、分散剂,所述硫铜钴矿、聚丙烯腈、分散剂的质量比为700~800:100:1;所述分散剂的分子结构为/n
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