[发明专利]光学半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910977455.1 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111064076A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 山路和宏;渡边孝幸 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22;H01S5/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光学半导体器件及其制造方法，该方法包括：形成第一半导体层；在形成电吸收型调制器的第一区中的第一半导体层上形成第一掩模图案；在第一半导体层上沿着第一方向形成平坦部；在凹凸部上形成第二半导体层；以及在第二半导体层上形成光波导层。第一掩模图案包括在第一区中的第一图案和在形成DFB激光器的第二区中的第二图案，第一图案包括第一开口图案和第一覆盖图案，并且第二图案包括第二开口图案和第二覆盖图案，并且第一开口图案与第一覆盖图案的比率不同于第二开口图案与第二覆盖图案的比率。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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