[发明专利]晶体管及其制造方法

摘要

本申请公开了一种晶体管及其制造方法，主要包括：在衬底上依次形成碳纳米管、假栅电极、掩模层；形成覆盖假栅侧壁的侧墙；在碳纳米管上形成电接触；形成至少覆盖侧墙的牺牲层；对牺牲层进行平坦化处理，以使假栅与侧墙的高度差在预设范围内；将假栅替换为栅叠层结构；去除牺牲层；形成覆盖电接触、栅叠层结构以及侧墙的刻蚀阻挡层；形成覆盖刻蚀阻挡层的层间介质层；以及形成贯穿层间介质层与刻蚀阻挡层的多个接触孔。通过牺牲层进行平坦化处理，以使假栅与侧墙的高度差在预设范围内，之后将余下的牺牲层去除，沉积刻蚀阻挡层，使之可以将整个栅叠层结构和源漏接触区域包围，从而可防止栅叠层结构的边缘与接触孔电连接结构发生击穿现象。