[发明专利]存储器装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910977809.2 申请日: 2019-10-15
公开(公告)号: CN112614840A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 杨怡箴;张耀文;吴冠纬 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L27/11568
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种存储器装置及其制造方法,存储器装置包含半导体衬底、叠层结构、电荷存储结构、势垒层、隧穿层及半导体层。叠层结构配置在半导体衬底的主表面上,且包含彼此交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。电荷存储结构包含多个弯折存储结构或多个分离的存储区段,弯折存储结构或分离的存储区段与导电层的侧壁相对,其中各弯折存储结构或各分离的存储区段,在平行主表面的一方向上实际上对准对应的导电层。势垒层至少有一局部夹置在导电层与弯折存储结构之间或者导电层与分离的存储区段之间。隧穿层配置在弯折存储结构上或分离的存储区段上。导体层配置在隧穿层上。
搜索关键词: 存储器 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
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