[发明专利]一种基于八点对位的多层PCB图形曝光对位方法及装置有效
| 申请号： | 201910978182.2 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110769603B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周兵;姚晓建;熊伟;张声芹;杨华 | 申请（专利权）人： | 广州美维电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 雷兴领 |
| 地址： | 510663 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于八点对位的多层PCB图形曝光对位方法及装置，该方法包括以下步骤：获取第一镭射钻孔标靶信息和第二镭射钻孔标靶信息，计算第一镭射钻孔标靶和第二镭射钻孔标靶的重叠区域并确定该区域的中心点以确定该中心点作为中心标靶；分别计算第一镭射钻孔标靶和中心标靶的重心以及角度偏移量从而计算第一增层图形曝光的第一对位基准；分别计算第二镭射钻孔标靶和中心标靶的重心以及角度偏移量从而计算第二增层图形曝光的第二对位基准。该方法采用镭射钻孔标靶和根据两个核心层的镭射钻孔标靶重叠区域所确定的中心标靶结合进行对位的方式，能够有效降低由于层间偏移而造成崩孔的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 对位 多层 pcb 图形 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于八点对位的多层PCB图形曝光对位方法，PCB包括第一核心层、第二核心层、第一增层和第二增层，所述第一核心层和所述第二核心层位于所述第一增层和所述第二增层之间，其特征在于，所述第一核心层设有第一镭射钻孔标靶，所述第二核心层设有第二镭射钻孔标靶，对位方法包括以下步骤：/n获取所述第一镭射钻孔标靶信息和所述第二镭射钻孔标靶信息，计算所述第一镭射钻孔标靶和所述第二镭射钻孔标靶的重叠区域并确定该区域的中心点，以该中心点作为中心标靶；/n分别计算所述第一镭射钻孔标靶和所述中心标靶的重心以及角度偏移量从而计算所述第一增层图形曝光的第一对位基准，所述第一对位基准为所述第一镭射钻孔标靶的重心和中心标靶的重心之间的中点以及所述角度偏移量的一半；/n分别计算所述第二镭射钻孔标靶和所述中心标靶的重心以及角度偏移量从而计算所述第二增层图形曝光的第二对位基准，所述第二对位基准为所述第二镭射钻孔标靶的重心和中心标靶的重心之间的中点以及所述角度偏移量的一半；/n其中，所述第一对位基准和所述第二对位基准用于对所述第一增层和所述第二增层进行图形曝光时的对位。/n
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