[发明专利]一种制作SMIM电容结构的方法及电容结构有效
| 申请号： | 201910978367.3 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110783321B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴恋伟;魏育才;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作SMIM电容结构的方法及电容结构，其中方法包括：在具有第一层电极、第一介质层、第二层电极和第二介质层的晶圆上涂布光阻；使用具有不同透光程度的光罩进行曝光显影，半遮光膜对应介质接触槽处，所遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；以光阻为掩膜蚀刻介质层可以同时得到金属接触槽和介质接触槽；在金属接触槽和介质接触槽的位置沉积金属；本发明省去传统工艺中的多道工艺，简化制作SMIM电容的工艺流程，缩短了生产周期，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 smim 电容 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作SMIM电容结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在具有第一层电极、第一介质层、第二层电极和第二介质层的晶圆上涂布光阻，第一层电极在晶圆上，第一介质层覆盖第一层电极，第一介质层上具有连通第一层电极的开口，第二层电极位于第二介质层上，第二介质层覆盖第二层电极和第一介质层；/n将设置有全遮光膜、半遮光膜、全透光三个区域的光罩对光阻进行图形化，所述半遮光膜对应介质接触槽处，所述全遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；/n对光阻显影得到完全显影区和不完全显影区，完全显影区对应金属接触槽，不完全显影区对应介质接触槽；/n以光阻和介质层为掩膜蚀刻完全显影区和不完全显影区分别得到金属接触槽和介质接触槽。/n
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