[发明专利]一种图形化N、P型热电薄膜及制备方法和柔性薄膜热电器件有效

专利信息
申请号: 201910978814.5 申请日: 2019-10-15
公开(公告)号: CN110649151B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 吴幸;董作院;徐何军;王超伦 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: H01L35/34 分类号: H01L35/34;H01L35/32
代理公司: 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 代理人: 徐筱梅;张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种图形化N、P型热电薄膜及制备方法和柔性薄膜热电器件,所选用的热电材料为无机粉末Bi2SexTe3‑x(x=0.1~1)和BixSb2‑xTe3(x=0.1~0.8),粉末平均粒径小于10μm。制备方法为通过柔性掩膜进行真空辅助抽滤。相对于磁控溅射、煅烧等制备工艺,该制备方法使衬底沉积的热电材料形状可控、工艺简单、成本低廉,并且所得薄膜具有良好的柔性。同时,本发明提供了一种新型柔性热电器件的组装方式,可以适应弯曲界面的温差供电,为将来智能可穿戴设备提供了可能。
搜索关键词: 一种 图形 热电 薄膜 制备 方法 柔性 热电器件
【主权项】:
1.一种图形化N、P型热电薄膜的制备方法,其特征在于,该方法包括以下具体步骤:/n步骤1:将Bi
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