[发明专利]垂直存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910979076.6 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111384063B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李在吉;宋姝璃;刘香根;李世昊 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/00 | 分类号： | H10B51/00;H10B51/10;H10B51/20 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种垂直存储器件及其制造方法。根据一个方面的垂直存储器件包括衬底，设置在衬底上的第一栅电极结构以及在基本上垂直于衬底的第一方向上与第一栅电极结构间隔开的第二栅电极结构，设置在第一栅电极结构与第二栅电极结构之间的沟道接触电极层，以及沿第一方向延伸并与沟道接触电极层以及第一栅电极结构和第二栅电极结构接触的沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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