[发明专利]外延生长装置和外延生长方法在审
| 申请号： | 201910980116.9 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110685009A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 费璐;林志鑫;曹共柏;王华杰;董晨华;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延生长装置和一种外延生长方法。所述外延生长装置的生长腔室上设置有允许用于在晶片上形成外延层的反应气体进入生长腔室内的进气口，当进行外延生长工艺的晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且外延层在较快区比在较慢区生长更快时，进气口在较快区旋转经过时提供的反应气体的进气速率小于在较慢区旋转经过时提供的反应气体的进气速率。所述外延生长装置可以调节外延层在不同晶向上的沉积，有助于获得厚度均一的外延层，提高外延晶片的质量。所述外延生长方法与所述外延生长装置具有相同或类似的特点，可以不改变外延生长装置的结构而提高外延层的厚度均一性，降低外延晶片的局部平直度，灵活性高。 | ||
| 搜索关键词： | 外延生长装置 外延层 反应气体 进气口 外延晶片 外延生长 进气 晶片 外延生长工艺 厚度均一性 厚度均一 生长腔室 平直度 生长腔 沉积 晶向 室内 生长 | ||
【主权项】：
1.一种外延生长装置，其特征在于，所述外延生长装置包括生长腔室及位于生长腔室内的衬托器，所述衬托器用于放置晶片并在外延生长过程中带动晶片旋转，所述生长腔室上设置有进气口，所述进气口允许用于在所述晶片上形成外延层的反应气体进入所述生长腔室内；当所述晶片的边缘部分具有晶向不同的较快区和较慢区且所述外延层在所述较快区比在所述较慢区生长更快时，在外延生长过程中，随着所述晶片的旋转，所述进气口在所述较快区旋转经过时提供的反应气体的进气速率小于在所述较慢区旋转经过时提供的反应气体的进气速率。/n
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