[发明专利]单根ZnO微米线异质结基近红外发光二极管及制备方法在审
申请号: | 201910981146.1 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110828620A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 阚彩侠;万鹏;姜明明;周祥博;刘洋 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/30 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 黄欣 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种单根ZnO微米线异质结基近红外发光二极管及其制备方法,所述发光二极管包括p‑GaAs衬底,在p‑GaAs衬底一侧设有金属Ni/Au电极,构成发光二极管的阳极;在p‑GaAs衬底上还设有单根n‑ZnO:Ga微米线,在单根n‑ZnO:Ga微米线的一端表面设有Ag电极,构成发光二极管的阴极。本发明通过构筑n‑ZnO:Ga/p‑GaAs异质结结构,在正向偏压下,实现了近红外发光二极管,促进了LED在红外光源领域的应用。 | ||
搜索关键词: | zno 微米 线异质结基近 红外 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】:
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