[发明专利]一种组分可调无机钙钛矿光电薄膜及其低温制备方法和器件应用有效
| 申请号： | 201910981438.5 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110797435B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 赵传熙;麦文杰;岑国标;赵志娟 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 桂婷 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于新型半导体材料制备及器件技术领域，具体公开了一种组分可调无机钙钛矿薄膜及其低温制备方法和器件应用。步骤如下：将CsX以及AB溶于有机溶剂中，搅拌均匀得到前驱体溶液；将所得前驱体旋涂在导电基底上；再将制膜进行退火处理，随后将样品转至原子沉积系统进行离子交换反应，得到组分精准可调的无机钙钛矿光电薄膜，并成功应用于光伏器件中。本发明方法解决了传统溶解度低问题，提高了薄膜均匀性致密性，且采用原子层沉积温度远低于200℃，不仅适用于硬质基底也适用于柔性基底，更利于实现无机钙钛矿卤族元素配比精准调控；此外前驱体均为无机物，解决了薄膜导电性差的问题，对无机钙钛矿薄膜制备及器件应用有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组分 可调 无机 钙钛矿 光电 薄膜 及其 低温 制备 方法 器件 应用 | ||
【主权项】：
1.一种组分可调无机钙钛矿光电薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：/n(1)将CsX以及AB溶于有机溶剂中，并搅拌均匀得到前驱体溶液；/n(2)将步骤(1)所得前驱体溶液旋涂在透明导电基底上形成膜；/n(3)将步骤(2)制得的膜进行退火处理，然后将所得样品转移至原子沉积系统反应腔，并在膜表面吹扫TiCl
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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