[发明专利]横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910981564.0 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110690273B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 郭慧;陈敦军;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向GaN基增强型结型场效应管器件及其制备方法。该器件利用刻槽+外延再生长或离子注入在n‑GaN基底上获得多片式垂直条状结构p‑GaN，与n‑GaN基底形成多个薄的p‑n结横向n型沟道，再通过沟道厚度以及p型和n型掺杂浓度的控制，使n型沟道在零偏下处于p‑n结内建电场的完全耗尽状态，即器件处于关断状态，需要施加正向偏压才能使沟道处于导通状态，即器件具有正的阈值电压。同时，多沟道保证了器件的大电流输出。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 gan 增强 型结型 场效应 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向GaN基增强型结型场效应管器件，其结构包括：/n一衬底层；/n一生长于衬底层上的半绝缘GaN层；/n一生长于半绝缘GaN层上的n-GaN沟道层，所述n-GaN沟道层内设多个平行的条形凹槽，深至半绝缘GaN层；/n还包括填充在n-GaN沟道层的条形凹槽中的条形p-GaN，p-GaN与n-GaN沟道层形成多片夹心式的p-n结；/n源电极和漏电极，分别设置在n-GaN沟道层顶表面的两端；/n栅电极，覆盖p-GaN的顶表面，并在一端联结，形成叉指结构的栅电极。/n
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