[发明专利]一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件有效

专利信息
申请号: 201910982161.8 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN110676250B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 郭太良;刘鹏辉;张永爱;周雄图;吴朝兴;林志贤;孙磊;严群 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L33/38;H01L33/50;H01L33/58;H01L33/60;H01L51/52
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 陈明鑫;蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极,设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极,连接所述上、下透明基板的障壁微结构,设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块;障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元,绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触,通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮,激发波长下转换发光层而实现全彩化显示,可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺,及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺,缩短μLED显示制作周期,降低制作成本。
搜索关键词: 一种 电学 接触 巨量 转移 全彩 led 显示 器件
【主权项】:
1.一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件,包括:下透明基板、上透明基板、μLED晶粒、波长下转换发光层、绝缘层、光学微结构、控制模块、设置于所述下透明基板表面的下驱动电极、设置于所述上透明基板表面的上驱动电极、连接所述上透明基板和下透明基板的障壁微结构,其特征在于,所述障壁微结构包括沿所述上驱动电极的方向依次构成用于红光显示的R单元、用于绿光显示的G单元以及用于蓝光显示的B单元;其中,R单元的障壁微结构内设置有红色波长下转换发光层和μLED晶粒;G单元的障壁微结构内设置有绿色波长下转换发光层和μLED晶粒;B单元的障壁微结构内设置有蓝光μLED晶粒,或是蓝色波长下转换发光层和μLED晶粒;所述上驱动电极、下驱动电极和所述μLED晶粒之间无直接的电学接触,所述控制模块分别与所述上驱动电极、所述下驱动电极电学连接,所述控制模块为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号,并在所述上驱动电极与所述下驱动电极之间形成的驱动电场,所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源,所述第一光源经所述R单元、G单元和B单元内的波长下转换发光层发出RGB光线,经可控扫描实现全彩化显示。/n
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