[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201910982223.5 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN110673436B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 今敷修久;吉川裕;菅原浩幸 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/80;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苏琳琳;李慧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及光掩模、光掩模的制造方法、光掩模坯料以及显示装置的制造方法。有利地适于显示装置制造用掩模的曝光环境、并且能够稳定地转印微小的图案。光掩模具有通过对成膜于透明基板上的半透光膜以及低透光膜分别进行图案化而形成的转印用图案,上述转印用图案具有:由露出上述透明基板的透光部构成的直径W1(μm)的主图案;配置于上述主图案的附近、由在上述透明基板上形成有上述半透光膜的半透光部构成的宽度d(μm)的辅助图案;以及配置于上述转印用图案的形成有上述主图案以及上述辅助图案以外的区域、在上述透明基板上至少形成有上述低透光膜的低透光部,上述主图案的直径W1、上述半透光部的透光率T1以及上述半透光部的宽度d具有规定的关系。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,是显示装置制造用的光掩膜,其具有转印用图案,该转印用图案通过对成膜于透明基板上的半透光膜以及遮光膜分别进行图案化而形成,所述光掩模的特征在于,/n用于使用具有数值孔径NA为0.08~0.20的光学系统的曝光装置进行曝光,从而在被转印体上形成独立孔图案,/n所述半透光膜使包含i线、h线或g线的曝光用光的代表波长的光偏移150度~210度,并且具有相对于所述代表波长的透过率T1,/n其中,T1的单位为%,/n所述遮光膜相对于所述代表波长的光,光学浓度OD为3以上,/n所述转印用图案具有:/n主图案,该主图案由露出所述透明基板的透光部构成且直径为W1;/n辅助图案,该辅助图案配置于所述主图案的附近,由在所述透明基板上形成有所述半透光膜的半透光部构成且宽度为d;以及/n遮光部,该遮光部配置于所述转印用图案的、形成所述主图案以及所述辅助图案以外的区域,且在所述透明基板上至少形成有所述遮光膜,/n所述辅助图案具有正多边形带或者圆形带的形状,并且包围所述主图案的周围,/n其中,W1以及d的单位为μm时,/n满足下述式(1-1)、(2)以及(5),/n0.8≤W1≤3.0 ···(1-1)/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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