[发明专利]静电卡盘、半导体处理腔室及设备在审
申请号: | 201910982879.7 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110707035A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 黄其伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种静电卡盘、半导体处理腔室及设备。该静电卡盘,包括承载盘、加热器及温度传感器;承载盘的上表面为承载面,承载面用于承载晶圆;加热器位于承载盘的下方;温度传感器为多个,均匀地设置于承载盘上,且多个温度传感器顶面与承载面平齐,或者多个温度传感器的顶面低于承载面,温度传感器用于采集晶圆的温度。本申请实施例实现了无需使用现有技术中的测试晶圆即可以实现对静电卡盘的温度进行校准,不仅节省了开腔的步骤使得操作更加便捷,而且还可以大幅节省成本。 | ||
搜索关键词: | 温度传感器 承载面 承载盘 静电卡盘 加热器 顶面 晶圆 半导体处理腔室 开腔 测试晶圆 上表面 校准 平齐 申请 承载 采集 | ||
【主权项】:
1.一种静电卡盘,其特征在于,包括承载盘、加热器及温度传感器;/n所述承载盘的上表面为承载面,所述承载面用于承载晶圆;/n所述加热器位于所述承载盘的下方;/n所述温度传感器为多个,均匀地设置于所述承载盘上,且多个所述温度传感器顶面与所述承载面平齐,或者多个所述温度传感器的顶面低于所述承载面,所述温度传感器用于采集所述晶圆的温度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造