[发明专利]磁通道接面结构与其制造方法有效
| 申请号： | 201910983590.7 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111063797B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 杨毅;沈冬娜;王郁仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及磁通道接面结构与其制造方法。将磁通道接面(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠沉积在底电极上。将顶电极层和硬遮罩沉积在MTJ堆叠上。蚀刻未被硬遮罩覆盖的顶电极层。之后，将第一间隔物层沉积在图案化的顶电极层和硬遮罩上。第一间隔物层在水平表面上被蚀去，留下在图案化的顶电极层的侧壁上的第一间隔物。蚀刻未被硬遮罩及第一间隔物覆盖的自由层。之后，在图案化的先前层上沉积后续间隔物层的步骤，在水平表面上蚀去后续间隔物层，在图案化的先前层的侧壁上留下后续间隔物层，之后重复蚀刻未被硬遮罩及后续间隔物覆盖的继续层(next layer)，直到已经蚀刻完MTJ堆叠的所有层以完成MTJ结构。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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