[发明专利]一种一维碳链的生长方法在审
| 申请号： | 201910983779.6 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111470488A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 石磊;杨国伟;刘璞;王建兴;靳钧;林梓恒 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01B32/159 | 分类号： | C01B32/159;C01B32/16 |
| 代理公司： | 广东翰锐律师事务所 44442 | 代理人： | 胡厚财 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于一维碳链材料制备工艺领域，尤其涉及一种一维碳链的生长方法。本发明提供了一种一维碳链的生长方法，所述生长方法为：热处理、热处理以及低压热处理；所述本生长方法所使用的单壁碳纳米管为金属型单壁碳纳米管和/或半导体型单壁碳纳米管，单壁碳纳米管的直径为0.7～2.0nm。本发明提供的技术方案中，通过对原材料单壁碳纳米管的平均直径进行控制，配合以后续生长方法，经拉曼光谱检测可证明，实现了一维碳链的控制生长；同时，本发明提供的生长方法，长碳链产率可达现有技术产率的两倍。本发明提供的一种一维碳链的生长方法，解决了现有技术中，缺少一种可以控制一维碳链长度的一维碳链生长方法的技术缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一维碳链 生长 方法 | ||
【主权项】：
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