[发明专利]一种MEMS层叠器件微波端口实现的工艺方法有效
| 申请号： | 201910984823.5 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110697648B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 钱可强;吴杰;王冬蕊;姜理利;黄旼;郁元卫 | 申请（专利权）人： | 中电国基南方集团有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 211153 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS层叠器件微波端口实现的工艺方法，通过下层衬底端口引出和上层衬底图形化刻蚀出端口窗口，实现键合面端口引出方式，再通过一次切割的方式完成芯片分离的同时将微波测试端口露出，避免了测试端口通过通孔引至上层衬底或者下层衬底复杂的工艺步骤，并且缩短了传输线的长度，降低了微波损耗；测试端口在中间键合层，减小了微组装过程中金丝引线露出芯片的高度，从而可以大大减小封装或者微组装体积；利用划切的方式完成端口最终露出，不增加工艺步骤，可以大大降低芯片制造成本。本发明可以应用于射频微系统、体声波器件、以及晶圆级封装等端口露出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 层叠 器件 微波 端口 实现 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、在下层衬底上完成MEMS器件、电路或功能模块的制造；/n步骤2、在下层衬底上完成测试端口的引出；/n步骤3、在下层衬底上制作完成键合辅助层，形成辅助图形；/n步骤4、在上层衬底上完成MEMS器件、电路或者功能模块的制造；/n步骤5、在上层衬底上制作完成键合辅助层，形成辅助图形；/n步骤6、上层衬底上通过光刻形成端口窗口，并将衬底刻蚀通，形成穿透式的窗口，通过干法刻蚀、湿法腐蚀或者激光切割进行窗口形成；/n步骤7、上下两层衬底键合；/n步骤8、采用划片完成芯片分割，同时将微波测试端口分开；/n步骤9、清洗，将测试端口上的硅削去掉。/n
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