[发明专利]图像传感器的像素结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910985060.6 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110676275A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王林;黄金德;胡万景;汪立;罗文哲 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器的像素结构及其形成方法，包括：形成第一晶圆，所述第一晶圆内包括感光单元与第一导电结构，所述感光单元与所述第一导电结构电连接；形成第二晶圆，所述第二晶圆内包括存储节点单元与第二导电结构，所述存储节点单元与所述第二导电结构电连接；键合所述第一晶圆与所述第二晶圆，使所述第一导电结构与所述第二导电结构电连接。在本发明的技术方案中，通过将所述感光单元与所述存储节点单元分别设置于所述第一晶圆与所述第二晶圆中，彼此之间相互隔离，避免所述感光单元以及所述外界光线对所述存储节点单元的影响，减小寄生光感效应的产生，进而提升最终形成的图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 导电结构 存储节点 感光单元 电连接 图像传感器 光感效应 外界光线 像素结构 寄生 减小 键合 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的像素结构形成的方法，其特征在于，包括：/n形成第一晶圆，所述第一晶圆内包括感光单元与第一导电结构，所述感光单元与所述第一导电结构电连接；/n形成第二晶圆，所述第二晶圆内包括存储节点单元与第二导电结构，所述存储节点单元与所述第二导电结构电连接；/n键合所述第一晶圆与所述第二晶圆，使所述第一导电结构与所述第二导电结构电连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
