[发明专利]纳米非晶C-Si-C复合材料及其制造方法和制造装置有效

专利信息
申请号: 201910985682.9 申请日: 2019-10-17
公开(公告)号: CN112678801B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 喻维杰;张锡强;赵常;杜玮 申请(专利权)人: 拓米(成都)应用技术研究院有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;C01B32/15;C01B33/027;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 管高峰
地址: 610000 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了纳米非晶C‑Si‑C复合材料及其制造方法和制造装置,制造方法包括以下步骤:利用载带气将有机炔类气体带入第一裂解区,在催化剂作用下低温裂解得到纳米非晶炭黑后进入第二裂解区;利用载带气将硅烷气体带入第二裂解区,低温裂解得到以纳米非晶炭黑为晶核的纳米非晶硅颗粒后进入第三裂解区;利用载带气将有机炔类气体带入第三裂解区,在催化剂作用下低温裂解得到炭黑并包覆在硅颗粒的表面,气固分离后得到纳米非晶C‑Si‑C复合材料。纳米非晶C‑Si‑C复合材料采用上述制造方法制得。纳米非晶C‑Si‑C复合材料的制造装置包括气相裂解单元、气固分离单元和尾气处理单元,本发明能够连续化生产并且可作为锂离子电池的理想负极材料。
搜索关键词: 纳米 si 复合材料 及其 制造 方法 装置
【主权项】:
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