[发明专利]一种碲镉汞小线宽腐蚀方法及碲镉汞红外探测器有效
| 申请号： | 201910986653.4 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110783427B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张轶;刘世光;孙浩;刘震宇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/103;G03F7/32 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 吴淑艳 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种碲镉汞小线宽腐蚀方法及碲镉汞红外探测器，用以提高小线宽精细结构腐蚀均匀性。碲镉汞小线宽腐蚀方法，包括：将带有光刻胶的碲镉汞芯片曝光后，放入显影池中浸泡在显影液中进行显影；向显影池中注入去离子水，直至将显影池中的显影液全部替换为去离子水；保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，用第一培养皿将碲镉汞芯片从显影池中取出；保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，将第一培养皿和碲镉汞芯片一起放入第二培养皿中进行腐蚀；保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起从第二培养皿中取出；保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起放入水槽中进行清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞小线宽 腐蚀 方法 碲镉汞 红外探测器 | ||
【主权项】：
1.一种碲镉汞小线宽腐蚀方法，其特征在于，包括：/n将带有光刻胶的碲镉汞芯片曝光后，放入显影池中浸泡在显影液中进行显影形成小线宽精细结构；/n向所述显影池中注入去离子水，直至将显影池中的显影液全部替换为去离子水；/n保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，用第一培养皿将所述碲镉汞芯片从显影池中取出；/n保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，将所述第一培养皿和所述碲镉汞芯片一起放入第二培养皿中进行腐蚀，所述第二培养皿中装满腐蚀液；/n保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起从所述第二培养皿中取出；/n保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起放入水槽中进行清洗，所述水槽中装满去离子水。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所，未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910986653.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种嵌入式光通信模组制作方法
- 下一篇：光伏组件的拆解方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
