[发明专利]集成电路装置有效
| 申请号： | 201910986999.4 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111081704B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 曾峥;黄国恩 | 申请（专利权）人： | 联发科技(新加坡)私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 新加坡138628*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种集成电路装置。该集成电路装置包括具有电路区域和围绕该电路区域的保护区域的半导体衬底。保护结构形成在保护区域中，并且包括位于半导体衬底中的扩散区域。保护结构还包括设置在半导体衬底上并与扩散区域相邻的栅堆叠。保护结构还包括设置在栅堆叠上的保护层。栅堆叠沿第一方向延伸，而保护层沿与第一方向不同的第二方向延伸。保护层与扩散区域电绝缘。因此，提供了一种包括具有电容器的保护结构的集成电路装置。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
