[发明专利]磁隧道结器件、磁阻存储器件及存储单元有效
| 申请号： | 201910987658.9 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111146333B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 园部义明;仲谷荣伸 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了既能够减小写入电流又能够提高写入速度的磁隧道结器件、磁阻存储器件及存储单元。该磁隧道结器件包括：自由层，具有可变的第一磁化方向；钉扎层，配置为在预定方向上保持第二磁化方向；以及绝缘层，在自由层和钉扎层之间。自由层包括具有垂直磁各向异性和高极化性的第一自由层、以及反铁磁耦合到第一自由层的第二自由层。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 器件 磁阻 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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