[发明专利]低电容瞬态电压抑制器在审
| 申请号： | 201910988224.0 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111106107A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 | 申请（专利权）人： | 万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛KY*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 瞬态电压抑制器(TVS)器件将穿通可控硅整流器(SCR)应用于高压侧转向二极管和/或低压侧转向二极管，其中的穿通可控硅整流器结构可实现保护节点处的低电容。在某些实施方式中，可通过串联连接两个或多个正向偏置二极管来调整瞬态电压抑制器器件的击穿电压。可以针对单向或双向应用，配置低电容瞬态电压抑制器器件。在某些实施方式中，该器件包含MOS触发可控硅整流器，作为高压侧转向二极管。可以通过调节MOS晶体管的阈值电压，来调节瞬态电压抑制器器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
