[发明专利]一种Split Gate-IGBT结构及其制作方法在审
申请号: | 201910988747.5 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN110600543A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 徐守一;陈思凡;蔡铭进 | 申请(专利权)人: | 厦门芯达茂微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
代理公司: | 35234 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 张积峰 |
地址: | 361006 福建省厦门市火炬高新区火炬园*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供一种Split Gate‑IGBT结构及其制作方法,其中,Split Gate‑IGBT结构,包括Split Gate结构、Trench Gate结构;所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本发明提供的Split Gate‑IGBT结构,通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构,将两者的优点相结合,在拥有较快开关速度的同时,还可进一步提高器件元胞密度,降低饱和压降;另外,还可以通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。本发明另外提供的制备方法,制备工艺简单、实用。 | ||
搜索关键词: | 饱和压降 开关性能 器件元胞 制备工艺 中间设置 快开关 制备 制作 优化 | ||
【主权项】:
1.一种Split Gate-IGBT结构,其特征在于:包括Split Gate结构、Trench Gate结构;所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。/n
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