[发明专利]基于GaN或GaAs的MIS-HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910990383.4 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110718584A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 50213 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 霍维英 |
| 地址： | 401520 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于GaN或GaAs的MIS‑HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；位于所述衬底上的未掺杂的GaN或GaAs层；位于所述GaN或GaAs层上的AlGaN或AlGaAs势垒层；位于所述AlGaN或AlGaAs势垒层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括氧化铝和氧化镓，其中氧化铝占90％～99％；位于所述AlGaN或AlGaAs势垒层上且穿过所述栅绝缘层的源极和漏极；位于所述栅绝缘层上的栅极。本发明不但能够有效降低器件的漏电流，还简化了MIS‑HEMT制备流程。 | ||
| 搜索关键词： | 栅绝缘层 势垒层 氧化铝 衬底 制备 降低器件 漏电流 未掺杂 氧化镓 漏极 源极 穿过 | ||
【主权项】：
1.基于GaN的MIS-HEMT器件，其特征在于，包括：/n底部的第一衬底；/n位于所述第一衬底上的未掺杂的GaN缓冲层；/n位于所述GaN缓冲层上的AlGaN势垒层；/n位于所述AlGaN势垒层上的第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层为金属氧化层，包括氧化铝和氧化镓，其中氧化铝占90％～99％；/n位于所述AlGaN势垒层上且穿过所述第一栅绝缘层的源极和漏极；/n位于所述第一栅绝缘层上的栅极。/n
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