[发明专利]一种晶圆级透镜单元及其制造方法在审
| 申请号： | 201910990711.0 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110890391A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李卫士;苏亚兰;谌世广;王林 | 申请（专利权）人： | 华天慧创科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;B29C33/44;B29C59/02 |
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| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级透镜单元及其制造方法，晶圆级透镜单元包括基板、透镜、围堰、CMOS图像传感器芯片；透镜和围堰配置在基板的上表面，围堰形成于透镜外围，透镜与围堰为一体成型结构；CMOS图像传感器芯片配置在基板下表面，CMOS图像传感器芯片通过DAF膜与基板贴合。本发明的优点在于，在压印透镜时，在透镜边缘外围直接压印出围堰结构，在透镜外围增加了围堰，起到保护透镜的作用；采用压印工艺制造形成透镜与围堰，两者为一体成型结构，成品良率高、一致性好，并且有利于透镜单元尺寸的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 透镜 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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