[发明专利]电子器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910990771.2 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111162119A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | A·康斯坦特;P·科庞;J·巴伊勒 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“电子器件及其形成方法”。本发明公开了一种电子器件，该电子器件可包括半导体层以及与该层形成欧姆接触的接触结构。在一个实施方案中，半导体层可包含III‑N材料，并且接触结构包括第一相和第二相，其中第一相包含Al，第二相包含金属，并且第一相接触半导体层。在另一个实施方案中，半导体层可为具有沿着晶面的表面的单晶层。接触结构可包含多晶材料，该多晶材料包含具有与单晶层的表面接触的表面的晶体，其中单晶层的表面与晶体的表面之间的晶格失配为至多20％。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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