[发明专利]晶片生成装置在审
| 申请号： | 201910991284.8 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111106032A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 饭塚健太吕;大宫直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片生成装置，能够从锭自动地生成晶片。该晶片生成装置包含：锭磨削单元，其对锭的上表面进行磨削而平坦化；激光照射单元，其将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元，其将晶片从锭剥离；以及托盘，其具有对所剥离的晶片进行支承的支承部。晶片生成装置还包含：传送带单元，其对托盘所支承的锭进行搬送；锭存放装置，其对托盘所支承的锭进行收纳；以及锭交接单元，其将托盘所支承的锭从锭存放装置交接至传送带单元。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 生成 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
