[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910991909.0 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN112687610B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 于海龙;谭晶晶;荆学珍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种互连结构的形成方法，包括：在半导体基底上形成介质层，介质层中形成有贯穿介质层的开口；在开口的侧壁和底部形成籽晶层；对籽晶层的表面进行还原性等离子体处理；之后，在籽晶层的表面形成受控氧化层；在电镀溶液中对半导体基底进行浸润处理，在对半导体基底进行浸润处理的过程中去除受控氧化层；之后，采用所述电镀溶液在所述开口中电镀形成位于籽晶层上的电镀层。本申请所公开的互连结构的形成方法提高了互连结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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