[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法和电子器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910992027.6 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111077727A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 小林周平 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/80;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供光掩模、光掩模的制造方法和电子器件的制造方法，课题在于提供一种能够使用接近式曝光装置进行高分辨率的光刻的光掩模。光掩模(10)为一种接近式曝光用的光掩模，其具备对形成在透明基板(21)上的透射控制膜进行图案化而成的转印用图案，其中，上述转印用图案包含：透射控制部(36)，其为宽度10μm以下的线状，是在上述透明基板(21)上形成透射控制膜而成的；以及透光部(37)，上述透明基板(21)在透光部(37)露出，并且该透光部(37)与上述透射控制部(36)相邻。上述透射控制部(36)相对于对上述光掩模(10)进行曝光的曝光光具有大于180度的相移量。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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