[发明专利]单晶炉及利用该单晶炉制备晶棒的方法在审

专利信息
申请号: 201910992640.8 申请日: 2019-10-18
公开(公告)号: CN112680784A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 薛抗美 申请(专利权)人: 徐州鑫晶半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/20;C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 肖阳
地址: 221004 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了单晶炉及利用该单晶炉制备晶棒的方法,单晶炉包括:单晶炉本体、石英坩埚、籽晶、第一加热器、第二加热器、导流筒和第三加热器,单晶炉本体内限定出容纳空间;石英坩埚设在容纳空间;籽晶可垂直移动地设在石英坩埚上方且可伸入熔硅中以便直拉长晶得到晶棒;第一加热器设在单晶炉本体内且位于石英坩埚的下方;第二加热器设在单晶炉本体内且环绕石英坩埚的侧壁;导流筒设在石英坩埚上方且环绕晶棒的一部分;第三加热器包括螺旋加热丝、正极脚和负极脚,螺旋加热丝的螺径自上而下减小,螺旋加热丝环绕晶棒且位于石英坩埚和导流筒之间,正极脚穿过导流筒与螺旋加热丝的一端连接,负极脚穿过导流筒与螺旋加热丝的另一端连接。
搜索关键词: 单晶炉 利用 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司,未经徐州鑫晶半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910992640.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top