[发明专利]半导体晶圆的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 201910992857.9 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111129302A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 柴田宽 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金雪梅;王海奇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在半导体晶圆形成沟槽型电容的情况下，即使在形成了许多的沟槽的情况下也能够抑制该半导体晶圆的翘曲并且抑制制造工序中的沟槽的侧壁的图案倾倒的半导体晶圆的制造方法以及半导体装置。包含在半导体晶圆10的主面内形成多个沟槽型电容的工序的半导体晶圆的制造方法利用在内部包含单位沟槽型电容的晶胞12构成多个沟槽型电容的各个，并且使多个沟槽型电容的沟槽14的布局图案的、规定的方向的长度的成分与和规定的方向交叉的方向的长度的成分在规定的允许范围内相等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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