[发明专利]大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201910993203.8 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110729351B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张进成;刘俊伟;赵胜雷;刘志宏;张雅超;张苇杭;段小玲;许晟瑞;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/861;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及其制备方法，主要解决目前GaN准垂直pn结二极管输出功率无法满足更高功率需求的问题。其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)和n型GaN层(3)，n型GaN层(3)的上部设有p型GaN层(4)和阴极(5)，p型GaN层(4)的上部设有阳极(6)，该阴极和阳极采用环形叉指结构，即阳极是以实心圆为中心，外部分布多个开口圆环的同心结构；阴极是分布在阳极环之间的多个开口圆环，形成阳极环与阴极环的同心环形交替嵌套结构。本发明降低了电场的边缘效应，并通过多层环形互连提高了GaN准垂直二极管输出功率密度，可用于微波整流、功率开关电路。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 阴阳 环形 gan 垂直 pn 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管，自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)和n型GaN层(3)，n型GaN层(3)的上部设有p型GaN层(4)和阴极(5)，p型GaN层(4)的上部设有阳极(6)，其特征在于，阴极(5)和阳极(6)采用环形叉指结构，即阳极(6)是以实心圆为中心，外部分布多个开口圆环的同心结构；阴极(5)是分布在阳极环之间的多个开口圆环，形成阳极环与阴极环的同心环形交替嵌套结构。/n
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