[发明专利]倒梯形或T型结构的工艺质量评估方法及系统有效
| 申请号： | 201910993367.0 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110728097B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张利斌;韦亚一;董立松;粟雅娟 | 申请（专利权）人： | 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/33 | 分类号： | G06F30/33 |
| 代理公司： | 南京中盟科创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32279 | 代理人： | 唐绍焜 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了倒梯形或T型结构的工艺质量评估方法及系统，设计与目标图层对标的前层衍射套刻结构和目标图层的衍射套刻结构，目标图层的衍射套刻结构沿平行前层衍射套刻结构方向偏移相同的套刻偏移量；光刻和刻蚀获取目标需要的倒梯形结构或T型结构；进行基于衍射的套刻标记测量，记录在前述套刻偏移量下的正负一级衍射光强差，计算光强差与套刻偏移量之间的斜率；计算待测结构尺寸变化与光强差之间的规律，计算得到由于工艺所导致的倒梯形或T型结构的宽度偏差。本发明能够有效避免切片等测量方法对微纳结构的损伤，弥补俯视电子束成像测量方法无法准确呈现底部特征的缺陷，提升了现有系统的整体测量性能，并且在成本和良率控制上得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 梯形 结构 工艺 质量 评估 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.倒梯形或T型结构的工艺质量评估方法，其特征在于：包括步骤：/n步骤S01，设计与目标图层对标的前层衍射套刻结构：所述前层衍射套刻结构包括水平方向排布的至少两组等周期光栅结构和垂直方向排布的至少两组等周期光栅结构；/n设计目标图层的衍射套刻结构：所述目标图层的衍射套刻结构与该图层的倒梯形或T型结构设计完全相同；所述目标图层的衍射套刻结构包括第一衍射结构和第二衍射结构，其中所述第一衍射结构的周期为第一周期，第二衍射结构的周期为第二周期，所述第一周期与所述前层衍射套刻结构的等周期光栅结构的周期相同，所述第二周期为待测倒梯形或T型结构的周期；/n步骤S02，所述目标图层的衍射套刻结构的中心坐标与所述前层衍射套刻结构相比，分别沿平行所述前层衍射套刻结构的各组等周期光栅结构的周期排布方向偏移相同的套刻偏移量；/n步骤S03，对目标图层的所有图形结构进行光刻和刻蚀工艺，获取目标需要的倒梯形结构或T型结构；/n步骤S04，在前层衍射套刻结构和目标层的衍射套刻结构组成的整体结构进行基于衍射的套刻标记测量，记录在前述套刻偏移量下的正负一级衍射光强差，计算光强差与套刻偏移量之间的斜率；/n步骤S05，根据前层衍射套刻结构和目标图层衍射套刻结构的光刻薄膜结构信息，包括各个薄膜的厚度、折射率和吸光系数，再根据步骤S04得到的光强差与套刻偏移量之间的斜率建立光学仿真模型，计算待测结构尺寸变化与光强差之间的规律，绘制倒梯形或T型结构尺寸分布轮廓图，由此计算得到由于工艺所导致的倒梯形或T型结构的宽度偏差。/n
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