[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910993965.8 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111092114B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈则;清水和宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
防止Ic(break)的降低，并且维持静态耐压的稳定性。半导体装置具备阱区域(5)、缓冲区域(7)、绝缘膜(108B、9B)、电极(8B)、电场缓和构造(10)。缓冲区域的杂质浓度随着从有源区远离而变小。电极的端部与缓冲区域的端部相比，位于接近有源区的位置。电场缓和构造具备多个RESURF层(6 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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