[发明专利]用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置有效
| 申请号： | 201910994604.5 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110620329B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 曾和平;马艳颖;袁帅;聂源;王瑾;王勇;沈嘉伟 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学重庆研究院;华东师范大学;上海理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/042;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 黄河 |
| 地址： | 401123 重庆市渝北*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及超快光学应用技术领域，具体涉及用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，包括基底芯片，包括基底层，以及镀于所述基底层表面的GST膜层；所述GST膜层在基底层的表面形成GST可饱和吸收部；驱动源部，与基底层电连接，用于输出定向电压驱动基底层中的载流子迁移，以改变GST可饱和吸收部对太赫兹波的吸收率，使得GST可饱和吸收部能够增强对低能量太赫兹波的吸收率，且减弱对高能量太赫兹波的吸收率，对太赫兹波进行可饱和吸收。本发明的太赫兹可饱和吸收器能够更好的配合量子级联激光器，且能够对太赫兹进行可饱和吸收，能够辅助量子级联激光器实现输出太赫兹辐射脉冲窄化，并兼顾提升太赫兹波的吸收效果。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 量子 级联 激光器 赫兹 饱和 吸收 装置 | ||
【主权项】：
1.用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于，包括：/n基底芯片，包括基底层，以及镀于所述基底层表面的GST膜层；所述GST膜层在基底层的表面形成GST可饱和吸收部；/n驱动源部，与基底层电连接，用于输出定向电压驱动基底层中的载流子迁移，以改变GST可饱和吸收部对太赫兹波的吸收率，使得GST可饱和吸收部能够增强对低能量太赫兹波的吸收率，且减弱对高能量太赫兹波的吸收率，对太赫兹波进行可饱和吸收。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学重庆研究院;华东师范大学;上海理工大学，未经华东师范大学重庆研究院;华东师范大学;上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910994604.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
