[发明专利]半导体结构及其制作方法

摘要

一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构配置于基板上，包括第一金属层设置于基板上、栅绝缘层设置于基板上、氧化物半导体层设置于栅绝缘层上、蚀刻阻挡图案设置于氧化物半导体层上以及第二金属层设置于蚀刻阻挡图案上。第一金属层包括栅极线。栅绝缘层覆盖栅极线。氧化物半导体层的图案化定义出氧化物半导体图案。第二金属层包括源极与漏极电性连接至氧化物半导体图案。部分蚀刻阻挡图案位于第二金属层与氧化物半导体层之间。第二金属层还包括信号线设置于蚀刻阻挡图案上并电性连接氧化物半导体图案。一种半导体结构的制作方法亦被提出。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，包括：/n提供一基板；/n形成一第一金属层于该基板上并图案化该第一金属层以定义出一栅极线与一遮蔽金属图案，且该栅极线电性连接一栅极；/n形成一栅绝缘层于该基板上并覆盖该栅极线及该遮蔽金属图案；/n形成一氧化物半导体材料层于该栅绝缘层上；/n对该氧化物半导体材料层进行退火处理；/n形成一蚀刻阻挡材料层于该氧化物半导体材料层上；/n形成一光刻胶材料层于该蚀刻阻挡材料层上；/n以半调式掩模定义该光刻胶材料层，以形成一光刻胶图案；/n以该光刻胶图案做为掩模，图案化该蚀刻阻挡材料层，以形成一蚀刻阻挡图案；/n以该光刻胶图案做为掩模，图案化该氧化物半导体材料层，以形成氧化物半导体层并定义一第一开口，该第一开口重叠该栅绝缘层；/n进行灰化程序，以移除该光刻胶图案；/n通过该蚀刻阻挡图案做为掩模，图案化该栅绝缘层，以形成一第一接触窗，且该第一接触窗重叠该遮蔽金属图案，其中该第一接触窗于该基板上的正投影位于该第一开口于该基板上的正投影之内；/n形成一第二金属层于该蚀刻阻挡图案上并图案化该第二金属层以定义出一源极、一漏极、一信号线以及一数据线，部分该蚀刻阻挡图案位于该第二金属层与该氧化物半导体层之间，且该数据线通过该第一接触窗以电性连接至该遮蔽金属图案；以及/n图案化该氧化物半导体层，以定义出一氧化物半导体图案，该源极与该漏极及该信号线电性连接至该氧化物半导体图案。/n