[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 201910994975.3 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN110764645B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 纪佑旻;苏松宇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044;H01L27/12 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种像素阵列基板,包括基底、像素及触控走线。像素设置于基底上。像素包括薄膜晶体管、数据线、扫描线、导电图案、像素电极及共用电极。薄膜晶体管具有栅极、半导体图案、设置于栅极与半导体图案之间的栅绝缘层、源极及漏极。数据线电性连接至薄膜晶体管的源极。扫描线电性连接至薄膜晶体管的栅极。导电图案电性连接至薄膜晶体管的漏极。栅绝缘层设置于导电图案上。像素电极电性连接至导电图案,且设置于栅绝缘层与基底之间。共用电极设置于栅绝缘层上。触控走线电性连接至共用电极且跨越像素的导电图案。 | ||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种像素阵列基板,包括:/n一基底;/n至少一像素,设置于该基底上,其中该至少一像素的每一者包括:/n一薄膜晶体管,具有一栅极、一半导体图案、设置于该栅极与该半导体图案之间的一栅绝缘层、一源极及一漏极;/n一数据线,电性连接至该薄膜晶体管的该源极;/n一扫描线,电性连接至该薄膜晶体管的该栅极;/n一导电图案,电性连接至该薄膜晶体管的该漏极,其中该栅绝缘层设置于该导电图案上;/n一像素电极,电性连接至该导电图案,且设置于该栅绝缘层与该基底之间;以及/n一共用电极,设置于该栅绝缘层上;以及/n一触控走线,电性连接至该共用电极,其中该触控走线跨越该导电图案。/n
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