[发明专利]基于电化学沉积的深孔超晶格填充方法有效
| 申请号： | 201910994998.4 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110911555B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 童浩;万代兴;缪向水;徐开朗 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于电化学沉积的深孔超晶格填充方法，包括如下步骤：S1：制备导电衬底；S2：制备绝缘层；S3：制备深孔；S4：配置反应溶液，其中混合有两种不同的电解液；S5：在深孔内从底部向上进行电化学沉积，其中，通过调节沉积参数，在深孔内分别交替沉积第一相变材料层和第二相变材料层，形成超晶格结构；S6：制备上电极。本发明通过微纳加工技术刻蚀出纳米级孔径的深孔之后再利用电化学沉积的方法快速有效填充深孔的工艺方法，可以从纳米孔的底部开始生长纳米相变材料，能够实现超大深宽比小孔进行硫系相变材料的填充，通过对沉积参数的调控可以实现对材料生长的精准调控。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电化学 沉积 深孔超 晶格 填充 方法 | ||
【主权项】：
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