[发明专利]一种镧掺杂的二氧化铪铁电薄膜的制备方法及应用在审
申请号: | 201910996546.X | 申请日: | 2019-10-19 |
公开(公告)号: | CN110648902A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 肖永光;田丽亚;康锎璨;唐明华 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/94;C23C18/12 |
代理公司: | 43108 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 冷玉萍 |
地址: | 411105 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种镧掺杂的二氧化铪铁电薄膜的制备方法及应用。首先以无机铪盐、无机镧盐为原料配制得到澄清透明的镧掺杂氧化铪前驱体溶液;然后根据实验要求将前驱体涂覆在处理后的硅基片上;最后经干燥、预热、退火处理得到不同晶相结构的La‑HfO | ||
搜索关键词: | 铁电薄膜 镧掺杂 可控 成膜均匀性 前驱体溶液 掺杂元素 澄清透明 二氧化铪 晶相结构 设备要求 实验要求 退火处理 无机镧盐 原料配制 硅基片 可重复 前驱体 氧化铪 预热 涂覆 铪盐 制备 薄膜 灵活 应用 | ||
【主权项】:
1.一种镧掺杂的二氧化铪铁电薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n(1)前驱体溶液的制备:将无机铪盐加入去离子水中搅拌至全部溶解后,向其滴加碱性溶液至pH为8~9,此时溶液生成白色沉淀,使用离心机分离、清洗沉淀,再向分离出的沉淀中滴加酸性溶液至pH为0.6~0.8,持续搅拌6~8天后,加入镧盐搅拌均匀,即可得到澄清透明的镧掺杂二氧化铪前驱体溶液;/n(2)基片清洗:基片分别使用丙酮超声4~6 min、无水乙醇超声4~6 min、体积比为3﹕1的双氧水-硫酸混合液在65~75℃下加热25~30 min、蒸馏水超声4~6 min、氢氟酸超声4~6min、双氧水超声15~25 min,然后用大量蒸馏水冲洗、浸泡和干燥,再将干燥的基片进行表面预处理,以增加基片表面与前驱体溶液的润湿性;/n(3)涂覆和干燥处理:将步骤(1)所得到的前驱体溶液涂覆在步骤(2)中清洗的基片上,每涂一层都需将基片置于140~160℃的烤胶机上烘烤1~3 min,再将加热干燥后的基片进行表面预处理,以增加薄膜的浸润性,重复上述步骤,直到制备出所需要的薄膜厚度;/n(4)薄膜预热处理:将步骤(3)得到的薄膜置于充满保护气体的退火炉中进行预热处理,然后进行退火,随炉冷至室温,得到晶态的镧掺杂二氧化铪铁电薄膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910996546.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体二极管制造加工用酸洗方法
- 下一篇:用于制造半导体器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造