[发明专利]一种检测PIK3CA基因H1047R位点突变的电化学传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910998895.5 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110646478B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 颜玉蓉;丁世家;程伟;王通;彭奇龄;郭斌;张德才;赵敏;阙海英;吴海平;甘秀锋;刘萍;郑清源;李星荣 | 申请（专利权）人： | 重庆医科大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/327;C12Q1/6858 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 尹丽云 |
| 地址： | 400016*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明属于DNA点突变检测技术领域，具体公开了一种检测PIK3CA基因H1047R位点突变的电化学传感器及其制备与应用，本发明基于NsbI酶和四联体DNA自组装结构构建了一种电化学传感器，所述电化学传感器可以灵敏、特异地检测PIK3CA |
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| 搜索关键词： | 一种 检测 pik3ca 基因 h1047r 突变 电化学传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测PIK3CA基因H1047R位点突变的电化学传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)靶物质的识别和切割：将靶物质互补探针(h)和靶物质(PIK3CA
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