[发明专利]转移大面积二维材料的方法

摘要

本发明提供一种转移大面积二维材料的方法，包括：步骤1.采用高熔点材料基底作为生长基底；步骤2.采用低熔点材料作为熔池材料，并将该熔池材料放置在生长基底上；步骤3.将高温区的温度升高到待转移材料的生长温度，使熔池材料形成液态熔池，然后开始生长待转移材料，使该待转移材料大面积生长在熔池表面上，形成大面积二维材料；步骤4.将生长有大面积二维材料的生长基底移动到低温区，低温区的温度应低于目标基底的熔点、并且在熔池材料的初熔温度附近，使熔池材料保持液态；步骤5.将目标基底放置在熔池近旁，通过位于熔池上方的辊轴的转动和移动，将大面积二维材料转移到目标基底上。通过本方法能够实现大面积二维材料的规模制备转移。