[发明专利]金属钨的填充方法在审
| 申请号： | 201910999534.2 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110797300A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 詹侃;胡凯;李远;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体设计及制造领域，本发明提供一种金属钨的填充方法，方法包括步骤：于开口的侧壁形成氮化钨钝化层；以及于所述开口中进行金属钨填充。本发明在金属钨填充过程中特别插入了氮化钨钝化层。由于金属钨在钨种子层和氮化钨钝化层表面的生长具有显著不同的沉积速率，本发明利用氮化钨钝化层对金属钨的进一步生长具有的钝化作用，促使金属钨的后续沉积产生一定的迟滞时间。本发明通过在金属钨填充过程插入的特征氮化钨钝化层，使得结构内外侧产生迟滞强度差异，可以显著增强金属钨的填充效果，实现金属钨的完全填充，避免结构内部孔隙等缺陷的产生，并大大提高了填充工艺的可调节能力。 | ||
| 搜索关键词： | 金属钨 填充 氮化钨 钝化层 迟滞 沉积 开口 半导体设计 钝化层表面 钝化作用 强度差异 钨种子层 可调节 生长 侧壁 制造 | ||
【主权项】：
1.一种金属钨的填充方法，其特征在于，所述填充方法包括步骤：/n于开口的侧壁形成氮化钨钝化层；/n于所述开口中进行金属钨填充。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910999534.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种通孔结构及其制作方法
- 下一篇：一种键合孔的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
